刘新风课题组

专利申请及批准情况

12. 一种基于泵浦探测的成像光谱系统、检测成像方法及应用,岳帅,刘新风,吴宪欣,吴科明;中国发明专利,专利号:202210849506.4

11. 纳米线成像装置及群折射率测量方法, 刘新风,吴宪欣,张帅,杜文娜中国发明专利,专利号:202211236686.5

10. 一种通过透射谱计算微米级单晶的折射率、消光系数及厚度的方法, 刘新风,姜传秀,杜文娜; 中国发明专利,专利号:202210796391.7

9. 一种微区测量纳米材料光学增益系数的测量方法及测量系统装置,刘新风杜文娜吴宪欣张帅2021-2-5, 中国,202110164408.2.

8. 一种测量非线性光学系数的z扫描测量装置及测量方法,刘新风; 眭新雨; 姜传秀; 杜文娜; 2021-2-2, 中国,202110145270.1.

7. 一种透明衬底上微米级样品吸收光谱的测试系统装置及测试方法,刘新风; 眭新雨; 姜传秀;2021-1-29,中国,202110126489.7.

6. 一种产生双激子的等离激元纳米腔及其制备方法与应用,陈杰,杜文娜,裘晓辉,刘新风;中国专利,专利号,201910319704.8 

5. 二维层状材料异质结堆叠序列的检测方法及光谱测量系统,时佳,刘新风;中国专利,专利号 201910184878.8 

4. 一种纳米线吸收谱的测量方法及系统, 杜文娜, 武志勇,时佳,陈杰,张帅,米阳,刘新风;中国专利 专利号 201710873446.9 

3. 一种金属探针的制备方法, 袁炳凯, 刘新风, 陈鹏程, 程志海, 裘晓辉;中国专利 专利号:201310314473.4 

2. 一种原位测量聚焦激光光斑能量分布的装置及方法, 刘新风, 闫永丽, 宁廷银, 裘晓辉;中国专利 专利号: 201010124758.8 

1. 一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法, 刘新风, 宁廷银, 裘晓辉;中国专利 专利号:200910237150.3 

 

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