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设备详细介绍
低温等离子体增强化学气相镀膜仪
Inductively Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System
发布时间:2013-01-23 |
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型
号:
SENTECH
SI 500D
功
能:
氧化硅、氮化硅及氮氧化硅薄膜的低温制备
Low-temperature deposition of
silicon nitride, silicon oxide and silicon
oxynitride
films
非晶硅薄膜的制备
Deposition of amorphous silicon films
主要配置:
载片
(Wafers)
:
直径
小于
100 mm
的各种基片
(
up to 100 mm wafers)
气体
(Gas lines)
:
SiH
4
5% +
Ar
95%, NH
3
, CF
4
,
Ar
, O
2
, N
2
ICP
等离子体源
(ICP source)
:
PTSA ICP
等离子源
(
Planar Triple Spiral
Antenna inductively coupled plasma source,
13.56 MHz, 1200 W)
技术特点:
高速率低损伤沉积
Deposition of films with high speed and low damage
高质量介质膜的低温沉积
Deposition of High quality dielectric films at low
temperature
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