型　  号： HG – 2

  功　  能：

• 基片的烘干处理
  Drying wafers

  主要配置：

• 基片(Wafers)：直径小于150 mm的各种基片(up to 150 mm wafers)
• 流量(Gas flow)：40 L /min for N₂
• 压力(Pressure)：0.35 ~ 0.6 MPa
• 承片架转速(Rotation rate of holder)：7 ~ 40 rmp
• 温度(Temperature): 70 ℃

  技术特点：

• 氮气压力可调
  Adjustable pressure of nitrogen
• 加热均匀
  Uniform heating