学习工作经历： 

　　2013.07 至今           国家纳米科学中心，副研究员 

　　2011.07 －2013.06  国家纳米科学中心，助理研究员 

　　2009.04 －2011.06  北京大学，博士后 

　　2002.07 －2009.03  中国科学技术大学，博士  

　　2006.02 －2006.08  加拿大Alberta大学，访问 

　　1998.09 －2002.06  中国科学技术大学，双学士学位 

　　研究领域： 

　　低维半导体材料的制备、物性调控及器件。迄今已发表SCI论文65篇，论文他引次数超过800余次，H因子17。近5年系统深入地在新型低维硫族半导体及光电器件应用方面开展了原创性研究。主要研究方向包括两个方面：（1）新型低维硫族化合物及其光电器件；（2）新型低维硫族化合物复合材料及光电应用。 

　　获奖及荣誉： 

　　(1)      2015年中科院卢嘉锡青年人才奖； 

　　(2)      2014年中科院青年创新促进会会员； 

　　(3)      纳米青年科学论坛2013、2014：优秀报告奖； 

　　(4)      2009中国科大优秀毕业生； 

　　代表性论文： 

　　1.      Z. X. Wang, K. Xu, Y. C. Li, X. Y. Zhan, M. Safdar, Q. S. Wang, F. M. Wang and J. He*, Role of Ga Vacancy on a Multilayer GaTe Phototransistor, ACS Nano 2014, 8, 4859-4865. 

　　2.      J. D. Wang, Z. X. Wang (co-first author), Q. C. Li, L. Gan, X. J. Xu, L. D. Li* and X. F. Guo*, Revealing Interface-Assisted Charge Transfer Mechanisms Using Silicon Nanowires as Local Probes, Angew. Chem. Int. Ed. 2013, 52, 3369-3373. 

　　3.      Z. X. Wang, M. Safdar, C. Jiang and J. He*, High-Performance UV-Visible-NIR Broad Spectral Photodetectors Based on One-Dimensional In₂Te₃ Nanostructures, Nano Lett. 2012, 12, 4715-4721. 

　　4.      Y. Huang, X. Y. Zhan, K. Xu, L. Yin, Z. Z. Cheng, C. Jiang, Z. X. Wang* and J. He*, Highly sensitive photodetectors based on 2D-0D SnS₂-CIS quantum dots hybrid, Appl. Phys. Lett. 2016,108, 013101.  

　　5.      L. Yin, X. Y. Zhan, K. Xu, F. Wang, Z. X. Wang*, Y. Huang, Q. S. Wang, C. Jiang and J. He*, Ultrahigh Sensitive MoTe₂ Phototransistors Driven by Carrier Tunneling, Appl. Phys. Lett. 2016, 108, 043503.  

　　6.      Z. X. Wang, M. Safdar, M. Mirza, K. Xu, Q. S. Wang, Y. Huang, F. M. Wang, X. Y. Zhan and J. He*, High-performance flexible photodetectors based on GaTe nanosheets, Nanoscale 2015, 7, 7252-7258. 

　　7.      F. Wang, Z. X. Wang,* Q. S. Wang, F. M. Wang, L. Yin, K. Xu, Y. Huang and J. He*, Synthesis, properties and applications of 2D non-graphene materials, Nanotechnology 2015, 26, 292001, Invited Review. 

　　8.      Z. X. Wang, H. Yin, C. Jiang, M. Safdar and J. He*, ZnO/ZnS_xSe_1-x/ZnSe Double-Shelled Coaxial Heterostructure: Enhanced Photoelectrochemical Performance and Its Optical Properties Study, Appl. Phys. Lett. 2012, 101 253109. 

　　9.      Z. X. Wang, X. Y. Zhan, Y. J. Wang, S. Muhammad, Y. Huang and J. He*, A flexible UV nanosensor based on reduced graphene oxide decorated ZnO nanostructures, Nanoscale 2012, 4, 2678-2684. 

　　10. Z. X. Wang, X. Y. Zhan, Y. J. Wang, M. Safdar, M. T. Niu, J. P. Zhang, Y. Huang and J. He*, ZnO/ZnS_xSe_1？x core/shell nanowire arrays as photoelectrodes with efficient visible light absorption, Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 073105. 

　　11. K. Xu, Z. X. Wang, F. Wang, Y. Huang, F. M. Wang, L. Yin, C. Jiang and J. He*, Ultrasensitive Phototransistors Based on Few-Layered HfS₂, Adv. Mater. 2015, 27, 7881-7887.  

　　12. F. Wang, Z. X. Wang, K. Xu, F. M. Wang, Q. S. Wang, Y. Huang, L. Yin, and J. He*, Tunable GaTe-MoS₂ van der Waals p-n junctions with novel optoelectronic performance, Nano Lett. 2015, 15, 7558–7566.