论文

Bismuth nanowire growth under low deposition rate and its ohmic contact free of interface damage

论文编号:

作者:

Ye Tian

刊物名称:

AIP Advance

所属学科:

论文题目英文:

Bismuth nanowire growth under low deposition rate and its ohmic contact free of interface damage

年:

2012

卷:

2

期:

页:

012112（1-9）

联系作者:

Qian Liu

收录类别:

影响因子:

参与作者:

备注:

版权所有 © 2017-2018 国家纳米科学中心京ICP备05064431号-1 京公网安备：110402500013
地址：北京市海淀区中关村北一条11号　邮编：100190
电话：010-62652116　传真：010-62656765 Email：webmaster@nanoctr.cn