论文

Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets

论文编号:

作者:

K. Xu

刊物名称:

Nanoscale

所属学科:

论文题目英文:

Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets

年:

2015

卷:

7

期:

页:

15757-15762

联系作者:

J. He

收录类别:

影响因子:

参与作者:

备注:

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