科研成果

直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法

专利名称:

直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法

英文名称:

直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法

专利类别:

发明

申请号:

200810111971.8

申请日期:

2008-5-20

授权日期:

2010-12-22

专利号:

ZL200810111971.8

第一发明人:

祁琼

其它发明人:

江潮; 余爱芳

国外申请日期:

国外申请方式:

专利授权日期:

2010-12-22

缴费情况:

实施情况:

专利证书号:

专利摘要:

其它备注: