科研成果

一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法

专利名称:

一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法

英文名称:

一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法

专利类别:

发明

申请号:

200910237150.3

申请日期:

2009-11-06

授权日期:

2012-12-26

专利号:

ZL200910237150.3

第一发明人:

刘新风

其它发明人:

宁廷银、裘晓辉

国外申请日期:

国外申请方式:

专利授权日期:

2012-12-26

缴费情况:

实施情况:

专利证书号:

专利摘要:

其它备注: