科研成果

一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法

专利名称:

一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法

英文名称:

一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法

专利类别:

发明

申请号:

201110310282.1

申请日期:

2011-10-13

授权日期:

2016-4-6

专利号:

ZL201110310282.1

第一发明人:

唐皓颖

其它发明人:

江鹏,王中林

国外申请日期:

国外申请方式:

专利授权日期:

2016-4-6

缴费情况:

实施情况:

专利证书号:

专利摘要:

其它备注: