科研成果

一种顶栅结构的超薄硫化铪光电晶体管及其制备方法

专利名称:

一种顶栅结构的超薄硫化铪光电晶体管及其制备方法

英文名称:

专利类别:

发明授权

申请号:

CN201610227869.9

申请日期:

2016-04-13

授权日期:

2018-05-25

专利号:

ZL201610227869.9

第一发明人:

何军

其它发明人:

许凯; 王振兴

国外申请日期:

国外申请方式:

专利授权日期:

2018-05-25

缴费情况:

实施情况:

专利证书号:

专利摘要:

其它备注: