科研成果

一种手性II-VI族半导体纳米晶体及其制备方法

专利名称:

一种手性II-VI族半导体纳米晶体及其制备方法

英文名称:

专利类别:

发明

申请号:

CN201711000112.7

申请日期:

2017-10-24 00:00:00

授权日期:

2020-06-16 00:00:00

专利号:

ZL201711000112.7

第一发明人:

唐智勇

其它发明人:

高小青

国外申请日期:

国外申请方式:

专利授权日期:

2020-06-16 00:00:00

缴费情况:

实施情况:

专利证书号:

专利摘要:

其它备注: