科研成果

一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅

专利名称:

一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅

英文名称:

专利类别:

发明

申请号:

CN201911089405.6

申请日期:

2019-11-08 00:00:00

授权日期:

2021-06-29 00:00:00

专利号:

ZL201911089405.6

第一发明人:

徐丽华

其它发明人:

褚卫国; 陈佩佩; 闫兰琴

国外申请日期:

国外申请方式:

专利授权日期:

2021-06-29 00:00:00

缴费情况:

实施情况:

专利证书号:

专利摘要:

其它备注: