科研成果

一种二维层状CuInP2S6半导体材料及其制备方法

专利名称:

一种二维层状CuInP2S6半导体材料及其制备方法

英文名称:

专利类别:

发明

申请号:

CN202011364529.3

申请日期:

2020-11-27 00:00:00

授权日期:

2022-11-01 00:00:00

专利号:

ZL202011364529.3

第一发明人:

何军

其它发明人:

王枫梅; 余鹏

国外申请日期:

国外申请方式:

专利授权日期:

2022-11-01 00:00:00

缴费情况:

实施情况:

专利证书号:

专利摘要:

其它备注: