科研成果

一种自对准石墨烯场发射栅极结构及其制备方法

专利名称:

一种自对准石墨烯场发射栅极结构及其制备方法

英文名称:

专利类别:

发明

申请号:

CN202110793595.0

申请日期:

2021-07-12 00:00:00

授权日期:

2023-11-03 00:00:00

专利号:

ZL202110793595.0

第一发明人:

戴庆

其它发明人:

刘冠江; 李驰; 李振军

国外申请日期:

国外申请方式:

专利授权日期:

2023-11-03 00:00:00

缴费情况:

实施情况:

专利证书号:

专利摘要:

其它备注: