科研成果

一种调控冷阴极电子源侧向发射的结构及方法

专利名称:

一种调控冷阴极电子源侧向发射的结构及方法

英文名称:

专利类别:

发明

申请号:

CN202011583639.9

申请日期:

2020-12-28

授权日期:

2024-08-02

专利号:

ZL202011583639.9

第一发明人:

戴庆

其它发明人:

李振军; 白冰; 李驰; 刘新川

国外申请日期:

国外申请方式:

专利授权日期:

2024-08-02

缴费情况:

实施情况:

专利证书号:

专利摘要:

其它备注: