科研成果

场效应晶体管及制备方法、逻辑门操作实现方法

专利名称:

场效应晶体管及制备方法、逻辑门操作实现方法

英文名称:

专利类别:

发明

申请号:

CN202110678712.9

申请日期:

2021-06-18

授权日期:

2024-05-10

专利号:

ZL202110678712.9

第一发明人:

王振兴

其它发明人:

王俊俊; 王峰; 何军

国外申请日期:

国外申请方式:

专利授权日期:

2024-05-10

缴费情况:

实施情况:

专利证书号:

专利摘要:

其它备注: