科研成果

场效应晶体管及制备方法、逻辑门操作实现方法

专利名称: 场效应晶体管及制备方法、逻辑门操作实现方法
专利类别: 发明
申请号: CN202110678712.9
申请日期: 2021-06-18
授权日期: 2024-05-10
专利号: ZL202110678712.9
第一发明人: 王振兴
其它发明人: 王俊俊; 王峰; 何军
专利授权日期: 2024-05-10
   

关闭窗口

返回首页