科研成果

场效应晶体管及制备方法、逻辑门操作实现方法

专利名称:

场效应晶体管及制备方法、逻辑门操作实现方法

专利类别:

发明

申请号:

CN202110678712.9

申请日期:

2021-06-18

授权日期:

2024-05-10

专利号:

ZL202110678712.9

第一发明人:

王振兴

其它发明人:

王俊俊; 王峰; 何军

专利授权日期:

2024-05-10